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BLA6G1011-200R中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLA6G1011-200R |
| 参数属性 | BLA6G1011-200R 封装/外壳为SOT-502A；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-502A |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 14:32:00 |
| 人工找货 | BLA6G1011-200R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLA6G1011-200R规格书详情
描述 Description
200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
Enhanced ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances
应用 Application
Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range.
技术参数
- 制造商编号
：BLA6G1011-200R
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：20.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：28.0
- ηD (%)
：65.0
- PL(1dB) (W)
：200.0
- PL(1dB) (dBm)
：53.0
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：1030
- Fmax (MHz)
：1090
- Status
：Not for design in
- Matching
：I
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SMD |
1680 |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
AMPLEON |
25+ |
TO-59 |
3000 |
原装公司现货销售 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
25+ |
SOT-502A |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
SOT |
3570 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
17+ |
射频管 |
26 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
射频管 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
BL |
24+ |
DIP |
6618 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3275 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
AMPLEON |
23+ |
MOSFET |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
