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30N20	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N20	文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
A30N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
DAM30N20D	文件：233.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAME30N20H	文件：250.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FTW30N20A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
MSAER30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFR30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTE30N20FP	文件：446.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTH30N20	文件：293.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB30N20	文件：85.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N20	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N20G	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：88.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeTO??20 N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤华信科技有限公司	BL30N20B	BELLING/上海贝岭	22+	TO220F/TO220/TO251/TO252	40000	一级代理-原装现货/支持实单	询价
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更多BL30N20B供应商更新时间2024-6-1 16:59:00

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