BGSX44MA12中文资料适用于物联网和 5G 应用的射频开关数据手册Infineon规格书

描述 Description

BGSX44MA12 RF CMOS 开关专为 LTE 和 WCDMA 接收路径应用而设计。该 4P4T 具有低插入损耗和低谐波产生。该开关通过 MIPI RFFE 控制器控制。片上控制器允许电源电压从 1.65 到 1.95 V。 BGSX44MA12 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 1.6 x 1.6 mm2，最大厚度为 0.6 mm。

特性 Features

• 高线性度 RF CMOS 4P4T 接收开关
• 超低插入损耗和谐波产生
• 高端口间隔离
• 集成 MIPI RFFE 接口，工作电压范围为 1.65 至 1.95 V
• 无铅无卤素封装 ATSLP-12-12，横向尺寸为
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用 Application

• 车载充电（OBC）

简介

BGSX44MA12属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的BGSX44MA12射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。