适用于物联网和 5G 应用的射频开关

BGSX44MA12 RF CMOS 开关专为 LTE 和 WCDMA 接收路径应用而设计。该 4P4T 具有低插入损耗和低谐波产生。该开关通过 MIPI RFFE 控制器控制。片上控制器允许电源电压从 1.65 到 1.95 V。 BGSX44MA12 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 1.6 x 1.6 mm2，最大厚度为 0.6 mm。 • 高线性度 RF CMOS 4P4T 接收开关\n• 超低插入损耗和谐波产生\n• 高端口间隔离\n• 集成 MIPI RFFE 接口，工作电压范围为 1.65 至 1.95 V\n• 无铅无卤素封装 ATSLP-12-12，横向尺寸为\n• 高 EMI 稳健性\n• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装;

Infineon

英飞凌

4P4T Rx Switch with MIPI RFFE Interface

文件：422.61 Kbytes 页数：17 Pages

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Package：12-UFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 描述：IC RF SWITCH 4P4T ATSLP12-12

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Infineon Technologies

上传：深圳市集好芯城科技有限公司

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