BGC420E6327,SMBJ13A-13,LP3443LT1G资料使用说明书-114ic电子网

零件型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
BFP420E6327	文件：542.63 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forhighgainlownoiseamplifiers •Foroscillatorsupto10GHz •NoisefigureF=1.1dBat1.8GHz outstandingGms=21dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetallizationforhighreliability •SIEGET25GHzfT-Line •Pb-free(RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BGA420E6327	文件：553.23 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BGE788	文件：0 bytes Page：0 Pages	PHI DIP	PHI 上传：深圳市勤思达科技有限公司	PHI
BGM1032N7E6327XUSA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon Technologies N/A	Infineon Technologies 上传：深圳市集好芯城科技有限公司	Infineon Technologies
BGM1033N7E6327XUSA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon Technologies N/A	Infineon Technologies 上传：深圳市集好芯城科技有限公司	Infineon Technologies

更多BGC420E6327,SMBJ13A-13,LP3443LT1G供应商更新时间2025-8-2 17:00:00