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BFR181W	文件：79.53 Kbytes Page：7 Pages	丝印：RFs；Package：SOT-323；NPN Silicon RF Transistor Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA • fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz • Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen free industry standard package with visible leads • Qualification report 文件：79.53 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181_07	文件：133.44 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：133.44 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181_14	文件：619.16 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：619.16 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181W	文件：510.37 Kbytes Page：6 Pages	丝印：RFs；Package：SOT-323；NPN Silicon RF Transistor 文件：510.37 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181W	文件：672.64 Kbytes Page：6 Pages	丝印：RFs；Package：SOT-323；Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：672.64 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181W_10	文件：510.37 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：510.37 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181W_14	文件：672.64 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：672.64 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR181W	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声RF 管基 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR181TF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor	Vishay 威世	Vishay
BFR181WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BFR181
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）_宽频带
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.02A
最大工作频率：
8GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3585,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.02
wtest：
0

技术参数

Gmax：
18.50 dB @900 MHz
ICmax：
20 mA
NFmin：
0.90 dB @900 MHz
OIP3：
18 dBm
OP1dB：
-1 dBm
Ptot：
175 mW
VCEOmax：
12 V
Package：
SOT23

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