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BFG67中文资料PDF规格书

BFG67
厂商型号

BFG67

参数属性

BFG67 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B

功能描述

NPN 8 GHz wideband transistors

文件大小

133.36 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-24 18:20:00

晶体管资料

  • 型号:

    BFG67

  • 别名:

    BFG67三极管、BFG67晶体管、BFG67晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_甚高频 (VHF)_超高频/特高频

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    8GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFG197,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-17

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    .05

  • wtest:

    0

BFG67规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon transistor in a 4-pin, dual-emitter SOT143B plastic package. Available with in-line emitter pinning (BFG67) and cross emitter pinning (BFG67/X). Version with reverse pinning (BFG67/XR) also available on request.

FEATURES

• High power gain

• Low noise figure

• High transition frequency

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

Wideband applications in the GHz

range, such as satellite TV tuners and

portable RF communications equipment.

产品属性

  • 产品编号:

    BFG67,235

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    380mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 15mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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