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BFG591中文资料PDF规格书

BFG591
厂商型号

BFG591

参数属性

BFG591 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

功能描述

NPN 7 GHz wideband transistor

文件大小

106.7 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-25 13:50:00

BFG591规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 package.

FEATURES

• High power gain

• Low noise figure

• High transition frequency

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers and RF communications subscriber equipment.

产品属性

  • 产品编号:

    BFG591,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 70mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
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