BFG590分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
![BFG590](https://img.114ic.com/dgk/Renders/NXP%20Semi%20Renders/SOT-143B_BF1108%20Pkg.jpg)
厂商型号 |
BFG590 |
参数属性 | BFG590 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B |
功能描述 | NPN 5 GHz wideband transistors |
文件大小 |
263.08 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-20 12:00:00 |
BFG590规格书详情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package.
FEATURES
• High power gain
• Low noise figure
• High transition frequency
• Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
• MATV/CATV amplifiers and RF communications
subscriber equipment in the GHz range
• Ideally suitable for use in class-A, (A)B and C amplifiers
with either pulsed or continuous drive.
BFG590属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFG590晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
BFG590,215
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
5GHz
- 功率 - 最大值:
400mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 70mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-253-4,TO-253AA
- 供应商器件封装:
SOT-143B
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
22+ |
SOT143 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
SOT143 |
710 |
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询价 | |||
PHILIPS |
22+ |
SOT-143 |
2789 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
SOT143 |
7906200 |
询价 | ||||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-143 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NXP |
23+ |
TSSOP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
12000 |
询价 | ||||
NXP恩智浦/PHILIPS飞利浦 |
2008++ |
SOT-143SOT-23-4 |
6200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
NXP |
21+ |
SOT143 |
2617 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT143 |
54258 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 |