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BFG590中文资料PDF规格书

BFG590
厂商型号

BFG590

参数属性

BFG590 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

功能描述

NPN 5 GHz wideband transistors

文件大小

105.48 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 13:30:00

BFG590规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package.

FEATURES

• High power gain

• Low noise figure

• High transition frequency

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

• MATV/CATV amplifiers and RF communications

subscriber equipment in the GHz range

• Ideally suitable for use in class-A, (A)B and C amplifiers

with either pulsed or continuous drive.

产品属性

  • 产品编号:

    BFG590/X,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 70mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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