BFG591分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BFG591 |
参数属性 | BFG591 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
页面数量 |
130 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-23 16:18:00 |
BFG591规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
BFG591属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFG591晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
BFG591,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 功率 - 最大值:
2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 70mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SC-73
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NIFINEON |
SOT223 |
7906200 |
询价 | ||||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
SOT-223 |
83500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
NXP |
2339+ |
SOT223 |
5645 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
NXP(PHILIPS) |
2020+ |
SOT223 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
询价 | ||
PHI |
18+ |
SOT223 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT223 |
9000 |
原装正品 |
询价 | ||
NXP |
2023 |
SOT-223 |
5000 |
公司原装现货/支持实单 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
15000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NXP |
22+ |
SOT223 |
5100 |
全新原装品牌专营 |
询价 | ||
NXP |
23+ |
SOT223 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 |