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BFS520	文件：530.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Description Ultrahighfrequencylownoisetransistor,planarNPNsiliconEpitaxialbipolarprocess.Withhighpowergain,lownoisefigure,largedynamicrangeandidealcurrentcharacteristics,theuseofSOT-323ultracompactchippackage,mainlyusedintheVHF,UHFandCATVhighfrequencyw	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFU520	文件：302.81 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·ComplementtoTypeBFU520 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFU520	文件：255.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNWidebandSiliconRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.8dBTYP @VCE=10V,IC=10mA,f=0.9GHz ·HighPowerGain MAG=9dBTYP. @VCE=8V,IC=40mA,f=1.0GHz ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·ApplicationsRequiringHighSu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BO520LW	文件：198.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features LowForwardVoltageDrop GuardRingConstructionforTransientProtection HighConductance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BO520WS	文件：67.08 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER [Diodes] Features ●VeryLowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●HighConductance	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BRUS520	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BS520	文件：28.88 Kbytes Page：2 Pages	PhotodiodeforVisibleLight	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
BS520	文件：101.59 Kbytes Page：2 Pages	PhotodiodeforVisibleLight	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
BY520	文件：144.15 Kbytes Page：2 Pages	0.25TO0.5AMP.SILICONRECTIFIERS FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
BY520	文件：363.2 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICKRECTIFIER FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •Lowreverseleakage •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecurrentcapability •Highcurrentcapability •Highreliability	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS

技术参数

VCEO(V)：
15
ICM(mA)：
70
PT(W)：
0.3
2(dB)：
17
NF(dB)：
1.6
GUM(dB)：
18
@Vce(V)：
6
@Ic(mA)：
20
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT343R
兼容型号：
BFG520W/X

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