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BFP520F	文件：69.16 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP520F	文件：537.41 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR520	文件：127.12 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFR520isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtune	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR520	文件：197.47 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighPowerGain ·HighCurrentGainBandwidthProduct ·LowNoiseFigure APPLICATIONS ·DesignedforRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordless.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR520	文件：80.22 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange.suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordless.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFR520T	文件：147.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC75)envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS520	文件：113.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS520	文件：195.46 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseFigure NF=1.1dBTYP.@VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz ·HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=6V,IC=20mA,f=1GHz APPLICATIONS ·DesignedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS520	文件：847.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNTransistor FEATURES ♦CollectorCurrentCapabilityIC=70mA ♦CollectorEmitterVoltageVCEO=15V ♦Highpowergain ♦Lownoisefigure ♦Hightransitionfrequency MECHANICALDATA ♦Case:SOT-323(SC-70-3)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BFS520	文件：530.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Description Ultrahighfrequencylownoisetransistor,planarNPNsiliconEpitaxialbipolarprocess.Withhighpowergain,lownoisefigure,largedynamicrangeandidealcurrentcharacteristics,theuseofSOT-323ultracompactchippackage,mainlyusedintheVHF,UHFandCATVhighfrequencyw	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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