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BFR520T	文件：147.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC75)envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS520	文件：113.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS520	文件：195.46 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseFigure NF=1.1dBTYP.@VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz ·HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=6V,IC=20mA,f=1GHz APPLICATIONS ·DesignedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS520	文件：847.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNTransistor FEATURES ♦CollectorCurrentCapabilityIC=70mA ♦CollectorEmitterVoltageVCEO=15V ♦Highpowergain ♦Lownoisefigure ♦Hightransitionfrequency MECHANICALDATA ♦Case:SOT-323(SC-70-3)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BFS520	文件：530.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Description Ultrahighfrequencylownoisetransistor,planarNPNsiliconEpitaxialbipolarprocess.Withhighpowergain,lownoisefigure,largedynamicrangeandidealcurrentcharacteristics,theuseofSOT-323ultracompactchippackage,mainlyusedintheVHF,UHFandCATVhighfrequencyw	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFU520	文件：302.81 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·ComplementtoTypeBFU520 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFU520	文件：255.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNWidebandSiliconRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.8dBTYP @VCE=10V,IC=10mA,f=0.9GHz ·HighPowerGain MAG=9dBTYP. @VCE=8V,IC=40mA,f=1.0GHz ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·ApplicationsRequiringHighSu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BO520LW	文件：198.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features LowForwardVoltageDrop GuardRingConstructionforTransientProtection HighConductance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BO520WS	文件：67.08 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER [Diodes] Features ●VeryLowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●HighConductance	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BRUS520	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi

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