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BFR520T	文件：147.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC75)envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR520T_15	文件：115.39 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFR520T_2015	文件：115.39 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFS520	文件：113.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS520	文件：195.46 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseFigure NF=1.1dBTYP.@VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz ·HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=6V,IC=20mA,f=1GHz APPLICATIONS ·DesignedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS520	文件：847.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNTransistor FEATURES ♦CollectorCurrentCapabilityIC=70mA ♦CollectorEmitterVoltageVCEO=15V ♦Highpowergain ♦Lownoisefigure ♦Hightransitionfrequency MECHANICALDATA ♦Case:SOT-323(SC-70-3)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BFS520	文件：530.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Description Ultrahighfrequencylownoisetransistor,planarNPNsiliconEpitaxialbipolarprocess.Withhighpowergain,lownoisefigure,largedynamicrangeandidealcurrentcharacteristics,theuseofSOT-323ultracompactchippackage,mainlyusedintheVHF,UHFandCATVhighfrequencyw	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFU520	文件：302.81 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·ComplementtoTypeBFU520 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFU520	文件：255.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNWidebandSiliconRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.8dBTYP @VCE=10V,IC=10mA,f=0.9GHz ·HighPowerGain MAG=9dBTYP. @VCE=8V,IC=40mA,f=1.0GHz ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·ApplicationsRequiringHighSu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BO520LW	文件：198.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features LowForwardVoltageDrop GuardRingConstructionforTransientProtection HighConductance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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