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BD682	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 4A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD682A	文件：76.26 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/A are PNP transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package. They are eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. NPN complements are BD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A Compli 文件：76.26 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD682A	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications. COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683 BD678, 678A, 680, 680A ARE EQUIVALENT TO MJE700, 702, 703. 文件：55.2 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD682G	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Cons 文件：59.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD682T	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Cons 文件：59.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD682TG	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Cons 文件：59.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD682G	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons 文件：87.44 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD682TG	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons 文件：87.44 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD682S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 4A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD682
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262B,FC50B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD682
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

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