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BD682	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line 文件：87.96 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD682	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	Complementary power Darlington transistors Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line 文件：382.93 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD682	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications. COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683 BD678, 678A, 680, 680A ARE EQUIVALENT TO MJE700, 702, 703. 文件：55.2 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD682	文件：153 Kbytes Page：6 Pages	Medium Power Linear and Switching 文件：153 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD682	文件：124.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：124.12 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD682	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：252.33 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD682	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补硅功率达林顿晶体管 The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. • Good hFE linearity \n• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode \n• High fT frequency;	ST 意法半导体	ST
BD682	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率达林顿晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
BD682	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
BD682	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD682
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262B,FC50B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD682
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

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