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BD682分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD682

参数属性

BD682 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

94.8 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

TGS

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 10:34:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD682

  • 别名:

    BD682三极管、BD682晶体管、BD682晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD262B,FC50B,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    100

  • htest:

    10000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

BD682规格书详情

DESCRIPTION

The BD681, are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-126 plastic package.

They are intended for use in medium power linar and switching applications The complementary PNP types are BD682, respectively.

产品属性

  • 产品编号:

    BD682

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 30mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2023+
TO-126
50000
原装现货
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