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BD682T功能描述:达林顿晶体管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BD682TG功能描述:达林顿晶体管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号：

    BD682T

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    2.5V @ 30mA，1.5A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 1.5A，3V

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供应商器件封装：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

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