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BD540C-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 5A TO220	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
BD540S	文件：113.86 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT5Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •Foruseinlow	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD540T	文件：52.28 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT5Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •Foruseinlow	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD540YS	文件：79.34 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD540YS	文件：146.78 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD540YT	文件：51.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200Volts CURRENT5Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •Foruseinl	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BFG540	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFG540	文件：360.44 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21︱2=16dBTYP.@VCE=8V,IC=40mA,f=900MHz •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,h	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG540	文件：786.62 Kbytes Page：8 Pages	NPN9GHzWidebandTransistor ■Features ●Highpowergain ●Lownoisefigure ●Hightransitionfrequency ●Goldmetallizationensuresexcellentreliability.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
BD540C-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
12 @ 3A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 100V 5A TO220

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