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BD433	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS PNPSiliconEpibaseTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD433	文件：44.24 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD434,BD436andBD438respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD433	文件：74.11 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTORS SILICONNPNPOWERTRANSISTORS. TheBD433-BD435-BD437areNPNTransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyarerecommendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. PNPcomplementsareBD434-BD436-BD438. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD433	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES AmplifierandSwitchingApplications	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD433	文件：939.6 Kbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●AmplifierandSwitchingApplications ●ComplementToBD434,BD436AndBD438	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD433	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442->PNP BD435,BD437,BD439,BD433,BD441-->NPN TO126PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL
BD433	文件：102.09 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:4A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD43322VBD43532VBD43745V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD433	文件：1.05321 Mbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES AmplifierandSwitchingApplications ComplementToBD434,BD436AndBD438	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD433	文件：1.81532 Mbytes Page：39 Pages	500-mA 3.3-V or 5.0-V Output LDO Regulators ●GeneralDescription TheBD4xxM5seriesarelowquiescentregulators featuring45Vabsolutemaximumvoltage,andoutput voltageaccuracyof±2(3.3Vor5V:Typ.),500mA outputcurrentand38μA(Typ.)currentconsumption. Theseregulatorsarethereforeidealforapplications requiringa	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD433	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD433	文件：55.28 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD433	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD433	文件：266.06 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Intendedforuseinmediumpowernearandswitchingapplications •WithTO-126package •Thecomplemen	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD433	文件：180.98 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON EPIBASE TRANSISTORS NPNSiliconEpibaseTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD433	文件：130.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD433	文件：73.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD433M2EFJ-C	文件：1.60555 Mbytes Page：37 Pages	200-mA 3.3-V or 5.0-V Output LDO Regulators ●GeneralDescription TheBD4xxM2-C/BD4xxU2-Cseriesarelowquiescent regulatorsfeaturing45Vabsolutemaximumvoltage,and outputvoltageaccuracyof±2(3.3Vor5.0V:Typ.), 200mAoutputcurrentand40μA(Typ.)current consumption. Theseregulatorsarethereforeidealforapplica	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD433M2EFJ-CE2	文件：1.60555 Mbytes Page：37 Pages	200-mA 3.3-V or 5.0-V Output LDO Regulators ●GeneralDescription TheBD4xxM2-C/BD4xxU2-Cseriesarelowquiescent regulatorsfeaturing45Vabsolutemaximumvoltage,and outputvoltageaccuracyof±2(3.3Vor5.0V:Typ.), 200mAoutputcurrentand40μA(Typ.)current consumption. Theseregulatorsarethereforeidealforapplica	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD433M2FP3-C	文件：1.60555 Mbytes Page：37 Pages	200-mA 3.3-V or 5.0-V Output LDO Regulators ●GeneralDescription TheBD4xxM2-C/BD4xxU2-Cseriesarelowquiescent regulatorsfeaturing45Vabsolutemaximumvoltage,and outputvoltageaccuracyof±2(3.3Vor5.0V:Typ.), 200mAoutputcurrentand40μA(Typ.)current consumption. Theseregulatorsarethereforeidealforapplica	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD433M2FP3-CE2	文件：1.60555 Mbytes Page：37 Pages	200-mA 3.3-V or 5.0-V Output LDO Regulators ●GeneralDescription TheBD4xxM2-C/BD4xxU2-Cseriesarelowquiescent regulatorsfeaturing45Vabsolutemaximumvoltage,and outputvoltageaccuracyof±2(3.3Vor5.0V:Typ.), 200mAoutputcurrentand40μA(Typ.)current consumption. Theseregulatorsarethereforeidealforapplica	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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晶体管资料

型号：
BD400
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_场输出（VA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
170V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD127,BD157,BD232,BD410,3DK3A6,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
170
htest：
999900
atest：
1
wtest：
20

详细参数

型号：
BD4
功能描述：
保险丝 40AMP 415VAC/250VDC
RoHS：
否
制造商：
Littelfuse
产品：
Surface Mount Fuses
电流额定值：
0.5 A
电压额定值：
600 V
保险丝类型：
Fast Acting
保险丝大小/组：
Nano
尺寸：
12.1 mm L x 4.5 mm W
端接类型：
SMD/SMT
系列：
485

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	BD441	ST	21+	TO126	65200	一级代理/放心采购	询价
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更多BD4供应商更新时间2024-5-21 14:48:00

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