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BD539C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD540 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Up to 120 V VCEO rating 文件：104.08 Kbytes 页数：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BD539C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD540 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Up to 120 V VCEO rating 文件：85.52 Kbytes 页数：6 Pages | POINN | POINN | |
BD539C | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：249.79 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
TRANS NPN 100V 5A | Bourns 伯恩斯 | Bourns | ||
Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 100V 5A TO220 | Bourns Inc. | Bourns Inc. |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD243C,BD543C,BD601,3DD64D,
- 最大耗散功率：
45W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
45
详细参数
- 型号：
BD539C
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 45W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
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D-pak |
69820 |
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BOURNSINC |
22+ |
TO-220 |
6000 |
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BOURNSINC |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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bourns |
25+ |
500000 |
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BOURNSINC |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-220 |
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原装，请咨询 |
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ST |
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TO-220 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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Bourns |
2022+ |
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Bourns Inc. |
25+ |
TO-220 |
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