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BD539C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD540 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Up to 120 V VCEO rating

文件:104.08 Kbytes 页数:5 Pages

Bourns

伯恩斯

BD539C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD540 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Up to 120 V VCEO rating

文件:85.52 Kbytes 页数:6 Pages

POINN

BD539C

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:249.79 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BD539C-S

TRANS NPN 100V 5A

Bourns

伯恩斯

BD539C-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 5A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

详细参数

  • 型号:

    BD539C

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 45W NPN Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BD539C供应商 更新时间2025-10-9 15:13:00