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BD241C_14	文件：108.13 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：108.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD241CG	文件：155.65 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 80??00 VOLTS 文件：155.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD241CG	文件：108.13 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：108.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD241C	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补硅功率晶体管 The devices are manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP types are BD242A and BD242C. • NPN transistors;	ST 意法半导体	ST

晶体管资料

型号：
BD241C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243C,BD581,BD591,TIP31C,3DD64D,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD241C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 100V 3A TO220

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