首页>BD241C>规格书详情

BD241C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

BD241C

参数属性

BD241C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220

功能描述

互补硅功率晶体管
TRANS NPN 100V 3A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 23:00:00

人工找货

BD241C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BD241C规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP types are BD242A and BD242C.

特性 Features

• NPN transistors

简介

BD241C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD241C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD241C

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :115

  • Collector Current_max(A)

    :3

  • Collector Current_abs_max(A)

    :3

  • Dc Current Gain_min

    :25

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :1.2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :600

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
PHI
24+
NA/
3800
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
MOT
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
询价
MOSPEC
24+
TO-220
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
ST/意法半导体
23+
TO-220-3
12700
买原装认准中赛美
询价
ST/意法
25+
TO220
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ST/意法
24+
TO220
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ST
24+/25+
1100
原装正品现货库存价优
询价
FSC
1950+
TO220
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价