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BD239C中文资料NPN硅功率晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

BD239C

参数属性

BD239C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 2A TO220

功能描述

NPN硅功率晶体管
TRANS NPN 100V 2A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BD239C规格书详情

描述 Description

The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type is the BD240C.

特性 Features

• NPN transistor

简介

BD239C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD239C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD239C

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :115

  • Collector Current_max(A)

    :2

  • Collector Current_abs_max(A)

    :2

  • Dc Current Gain_min

    :15

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.7

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :200

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