BD237(LEGACY FAIRCHILD)数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

BD237(LEGACY FAIRCHILD)

功能描述

2.0 A, 100 V, 25W NPN Epitaxial Silicon Bipolar Power Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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BD237(LEGACY FAIRCHILD)规格书详情

描述 Description

2.0 A, 100 V, 25W NPN Epitaxial Silicon Bipolar Power Transistor

特性 Features

• GainhFE = 40 @ IC = 150 mA
• Pb-Free Package

技术参数

  • 制造商编号

    :BD237(LEGACY FAIRCHILD)

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 2.0 A

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6Condition: IC = 1 A

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :100Condition: IC = 100 mA

  • CBO\ style=\cursor:help\>VCBO (V)

    :100

  • EBO\ style=\cursor:help\>VEBO (V)

    :5

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(sat) (V)

    : 

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(on) (V)

    :1.3Condition: VCE = 2 V

  • hFE Min

    :40Condition: VCE = 2 V

  • hFE Max

    : 

  • fT Min (MHz)

    :3Condition: VCE = 10 V

  • PTM Max (W)

    : 

  • Package Type

    :TO-126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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