BD234数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BD234 |
参数属性 | BD234 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 2A TO126 |
功能描述 | 2.0 A, 45 V PNP Bipolar Power Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:14:00 |
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BD234规格书详情
描述 Description
The 2 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. BD237 (NPN), BD234 (PNP) and BD238 (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• DC Current GainhFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD234属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD234晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD234
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.6
- IC Cont. (A)
:2
- VCEO Min (V)
:45
- VCBO (V)
:60
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.3
- hFE Min
:40
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:25
- Package Type
:TO-225-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO225 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
CJ/长电 |
25+ |
126 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi |
两年内 |
NA |
480 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO126 |
910 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
STM |
24+ |
原厂封装 |
4000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
1277 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-126 |
60 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-126 |
45000 |
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询价 |