首页>BD236>规格书详情

BD236数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

BD236

参数属性

BD236 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 2A TO126-3

功能描述

BD236: PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PNP 60V 2A TO126-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 8:10:00

人工找货

BD236价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BD236规格书详情

描述 Description

BD236

特性 Features

中等功率线性和开关应用。
分别作为 BD233/235/237 的补充器件

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

BD236属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD236晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD236

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : PNP Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = -1Adc

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :Condition: IC = -0.15A

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :25

  • Package Type

    :TO-126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长电
25+
TO-126
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
恩XP
2018+
TO-126
118500
承诺正品公司可开17%增值税票
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-126
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ST
24+
原厂封装
3050
原装现货假一罚十
询价
ST
21+
TO-126
4751
原装现货假一赔十
询价
ST
25+
TO-126
16900
原装,请咨询
询价
ST/意法
24+
NA/
1731
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ON/ST
24+
TO-126
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
CJ/长电
25+
TO-126
2357
原装正品,假一罚十!
询价
ST
20+
TO-126
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价