BD239B中文资料BD239B: NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BD239B |
| 参数属性 | BD239B 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 2A TO220-3 |
| 功能描述 | BD239B: NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 17:28:00 |
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BD239B规格书详情
描述 Description
BD239B
特性 Features
中等功率线性和开关应用。
BD240/A/B/C 的补充器件
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BD239B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD239B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD239B
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 1A
- IC Cont. (A)
：2
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：90
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.3
- hFE Min
：Condition: IC = 0.2A
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：30
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2450+ |
NA |
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1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
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24+ |
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TO220 |
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