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BD240C中文资料BD240C: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD240C

参数属性

BD240C 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 2A TO220-3

功能描述

BD240C: PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PNP 100V 2A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BD240C规格书详情

描述 Description

BD240C

特性 Features

中等功率线性和开关应用。
分别作为 BD239/A/B/C 的补充器件

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

BD240C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD240C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD240C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : PNP Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = -1A

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :115

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :Condition: IC = -0.2A

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-220-3

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