BD241C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | BD241C | 
| 参数属性 | BD241C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220 | 
| 功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors | 
| 封装外壳 | TO-220-3 | 
| 文件大小 | 99.53 Kbytes | 
| 页面数量 | 6 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 9:51:00 | 
| 人工找货 | BD241C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
BD241C规格书详情
BD241C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BD241C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:BD241C 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:卷带(TR) 
- 晶体管类型:NPN 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.2V @ 600mA,3A 
- 电流 - 集电极截止(最大值):300µA 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 1A,4V 
- 频率 - 跃迁:3MHz 
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-220-3 
- 供应商器件封装:TO-220 
- 描述:TRANS NPN 100V 3A TO220 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ON(安森美) | 23+ | 标准封装 | 5000 | 原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 | 询价 | ||
| ST/意法半导体 | 21+ | TO-220-3 | 8860 | 只做原装,质量保证 | 询价 | ||
| TOSHIBA/东芝 | 23+ | TO-263 | 50000 | 全新原装正品现货,支持订货 | 询价 | ||
| ON | 22+ | TO-220-3 | 50000 | 原装正品假一罚十,代理渠道价格优 | 询价 | ||
| ON | 19+ | TO-220 | 8991 | 询价 | |||
| ST | 24+ | TO-220 | 5000 | 只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 | 询价 | ||
| ST/意法 | 22+ | N | 30000 | 十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! | 询价 | ||
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