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onsemi(安森美)TO-220-3

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深圳市科芯源微电子有限公司

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ST/意法TO-220

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ST全系列TO-220

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FAIRCHILD/仙童TO-220

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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STTO-220

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FAIRCTO-220

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FAIRCHILDTO-220

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MOT原厂原装

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深圳市一线半导体有限公司

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TO-220

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ST原厂原封装

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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全新原装正品价格最实惠 假一赔百

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FAIRCHILD/仙童TO-220

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深圳市安富世纪电子有限公司

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FAIRCHILDTO-220

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STTO-220

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原装现货热卖

深圳市赛尔通科技有限公司

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BD241B

PTO-220

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FSCTO-220

38560

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市恒创达实业有限公司

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BD241B

FSCTO-220

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BD241B

STTO-220

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BD241B功能描述:两极晶体管 - BJT 40W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD241BFI功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

BD241BFP_01制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

BD241B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD241BTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号：

    BD241B

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    80V

  • 最大电流允许值：

    3A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD243B,BD579,BD589,TIP31B,3DD64C,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-10

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    80

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    999900

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