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BD241B	文件：107.29 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD242 Series ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：107.29 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD241B	文件：27.74 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD242/A/B/C respectively 文件：27.74 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD241B	文件：33.21 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD242/A/B/C respectively 文件：33.21 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD241B	文件：108.94 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON BD241C (NPN) BD242B (PNP) BD242C (PNP) Features • High Current Gain −Bandwidth Product • Compact TO−220 AB Package • Epoxy Meets UL94 V−0 @ 0.125 in • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：108.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD241B	文件：139.68 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS 文件：139.68 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
BD241B	文件：133.93 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3A,40W) 文件：133.93 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BD241B	文件：139.97 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transisotors . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. • Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B 文件：139.97 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BD241B	文件：104.57 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS The BD241, A, B, C are the NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are the silicon epitaxial-base Power Transistors for use in medium power linear and switching applications. The PNP complements are BD242, A, B, C. Compliance to RoHS. 文件：104.57 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD241B	文件：132.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type BD242/A/B/C APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：132.83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD241B	文件：97.16 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILCON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS 文件：97.16 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BD241B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243B,BD579,BD589,TIP31B,3DD64C,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

技术参数

VCBO(V)：
90
VCEO(V)：
80
PD(W)：
40
PACKAGE：
TO-220
NPN：
BD241B
PNP：
BD242B
HFE(Min/Max)：
10
IC/VCE(A/V)：
3.0/4.0
VCE(SAT)(V)：
1.2
IC / IB(A/mA)：
3.0/600

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