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BD2378G-K08-5060-R	文件：96.81 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC BD2378 is a complementary NPN/PNP small signal surface mount transistor. It’s suitable for low power amplification and switch. FEATURES * Epitaxial Planar Die Construction * Extremely-Small Surface Mount Package 文件：96.81 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BD2378L-K08-5060-R	文件：96.81 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC BD2378 is a complementary NPN/PNP small signal surface mount transistor. It’s suitable for low power amplification and switch. FEATURES * Epitaxial Planar Die Construction * Extremely-Small Surface Mount Package 文件：96.81 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BD237D	文件：218.44 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for medium power linear and switching applications. 文件：218.44 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BD237G	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Bipolar Transistors Plastic Medium Power Bipolar Transistors Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in • ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 文件：68.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD237G	文件：93.13 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Medium Power Bipolar Transistors Plastic Medium Power Bipolar Transistors Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in • ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 文件：93.13 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD237G-T6S-K	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V, NPN TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC BD237 is an NPN transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, etc. FEATURES * Complement to UTC BD238 respectively * High collector-emitter breakdown voltage 文件：113.02 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BD237L-T6S-K	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V, NPN TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC BD237 is an NPN transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, etc. FEATURES * Complement to UTC BD238 respectively * High collector-emitter breakdown voltage 文件：113.02 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BD237NPN	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications 文件：492.4 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD237-S	文件：74.44 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications TO126 Plastic Package 文件：74.44 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD237STU	文件：44.3 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD 234/236/238 respectively 文件：44.3 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

晶体管资料

型号：
BD237(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD179,BD379,BD441,3DD61D,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
25

产品属性

产品编号：
BD237
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS NPN 80V 2A SOT32-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD237供应商更新时间2026-4-19 17:30:00

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