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BD139中文资料NPN硅晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

BD139

参数属性

BD139 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3

功能描述

NPN硅晶体管
TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BD139规格书详情

描述 Description

These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits.

The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140.

特性 Features

• Products are pre-selected in DC current gain

简介

BD139属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD139晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD139

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SOT-32

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :80

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :80

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :80

  • Collector Current_max(A)

    :1.5

  • Collector Current_abs_max(A)

    :1.5

  • Dc Current Gain_min

    :100

  • Dc Current Gain_max

    :160

  • Test Condition for hFE (IC)

    :0.15

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :2

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :0.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :50

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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