BD139中文资料1.5A,80V NPN双极结型功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BD139三极管、BD139晶体管、BD139晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
1.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD169,BD179,BD230,BD237,BD441,3DA1C,
- 最大耗散功率:
12.5W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-21
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
1.5
- wtest:
12.5
BD139规格书详情
描述 Description
This series of plastic, medium-power NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140
• Pb-Free Package is Available*
简介
BD139属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的BD139晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD139
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:1.5
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1
- hFE Min
:40
- hFE Max
:250
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:12.5
- Package Type
:TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
25+ |
N/A |
22412 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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CJ/长电 |
2023+ |
CDIP |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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CJ/长电 |
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TO126 |
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ST/意法 |
25+ |
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ST |
2019 |
TO-126 |
25 |
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询价 | ||
CDIL |
24+/25+ |
780 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST |
21+ |
TO-126 |
10000 |
全新原装公司现货
|
询价 |


