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BCR135W	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135W	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD135	文件：69.95 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:1.5A) •LowVoltage(Max.:45V) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A •ComplementarytoBD136.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BD135	文件：110.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD135	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135	文件：357.96 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc •ComplementarywithBD136,BD138,BD140	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD135	文件：131.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD135	文件：235.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD135	文件：73.91 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS. TheBD136-BD138-BD140arePNPTransistors Theyarerecommendedfordriverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. NPNcomplementsareBD135-BD137-BD139. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD135	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BD135	文件：1.11352 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD135	文件：235.81 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ◾HighCurrent(1.5A) ◾LowVoltage(80V)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BD135	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD135	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •Highcurrent •ComplementtoBD136,BD138andBD140	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BD135	文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD136,BD138,BD140	CDIL CDIL	CDIL
BD135	文件：795.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementtoBD136. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD135	文件：186.38 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD135	文件：369.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD135	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：111.81 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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详细参数

型号：
BCS-135-L-D-PE
功能描述：
CONN RCPT 70POS .100 DUAL VERT
RoHS：
是
类别：
连接器，互连式 >> 板至板 - 接头，插座，母插口
系列：
BCS
产品变化通告：
Non Rohs Product Obsolescence 25/Jul/2007
标准包装：
10
系列：
DUBOX™, MezzSelect™，基础增强型
连接器类型：
插座
位置数：
46
加载位置的数目：
全部
间距：
0.100（2.54mm）
行数：
2
行间距：
0.100（2.54mm）
高度堆叠（配接）：
-
板上方高度：
0.335（8.50mm）
安装类型：
通孔
端子：
焊接
触点表面涂层：
金
触点涂层厚度：
30µin（0.76µm）
特点：
-
颜色：
蓝
包装：
管件

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深圳市金芯阳科技有限公司	BCS-136-L-D-HE	SAMTEC	2021++	原厂原装	5850	ELE优势库存国外货源	询价
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更多BCS-135-L-D-PE供应商更新时间2024-6-17 16:26:00

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