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BAQ135	文件：100.49 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,LowLeakageCurrent FEATURES •Siliconplanardiodes •Verylowreversecurrent •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS Protectioncircuits,timedelaycircuits,peakfollower circuits,logarithmicamplifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135	文件：77.21 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode,HighVoltage FEATURES •Siliconplanardiode •Verylowreversecurrent •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Protectioncircuits,delaycircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135	文件：371.15 Kbytes Page：2 Pages	200mAAxialLeadedSmallSignalSwitchingDiodes Features ●SiliconPlanarDiode ●Verylowreversecurrent ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAY135	文件：35.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPlanarDiode Features •SiliconPlanarDiode •Verylowreversecurrent •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Protectioncircuits,delaycircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135-TAP	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAY135-TR	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB135	文件：38.03 Kbytes Page：2 Pages	UHFVariableCapacitanceDiode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES •Excellentlinearity •VerysmallplasticSMDpackage. •C28:1.9pF;ratio:10	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB135	文件：53.78 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES •Excellentlinearity •VerysmallplasticSMDpackage. •C28:1.9pF;ratio:10	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB135	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCR135	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135	文件：51.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR135	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135F	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135F	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：43.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR135T	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135W	文件：34.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47KΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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详细参数

型号：
BCS-135-L-D-PE
功能描述：
CONN RCPT 70POS .100 DUAL VERT
RoHS：
是
类别：
连接器，互连式 >> 板至板 - 接头，插座，母插口
系列：
BCS
产品变化通告：
Non Rohs Product Obsolescence 25/Jul/2007
标准包装：
10
系列：
DUBOX™, MezzSelect™，基础增强型
连接器类型：
插座
位置数：
46
加载位置的数目：
全部
间距：
0.100（2.54mm）
行数：
2
行间距：
0.100（2.54mm）
高度堆叠（配接）：
-
板上方高度：
0.335（8.50mm）
安装类型：
通孔
端子：
焊接
触点表面涂层：
金
触点涂层厚度：
30µin（0.76µm）
特点：
-
颜色：
蓝
包装：
管件

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