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BCR10PN	文件：62.74 Kbytes Page：5 Pages	NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit) NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array • Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit • Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=10kΩ) 文件：62.74 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR10PN-H6327	文件：533.37 Kbytes Page：7 Pages	NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistors in one package • Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 kΩ, R2 =10 kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified 文件：533.37 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR10UM	文件：55.71 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE ● IT (RMS) ...................................................................... 10A ● VDRM ..............................................................400V/600V ● IFGT I, IRGT I, IRGT III........................................... 15mA ● Viso................................................. 文件：55.71 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
BCR1002A3	文件：254.23 Kbytes Page：6 Pages	丝印：R1002；Package：TO-92；PNPN Epitaxial Planar SCR 文件：254.23 Kbytes 页数：6 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BCR1002N3	文件：274.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CR；Package：SOT-23；PNPN Epitaxial Planar SCR 文件：274.48 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BCR1003A3	文件：259.6 Kbytes Page：6 Pages	PNPN Epitaxial Planar SCR 文件：259.6 Kbytes 页数：6 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BCR103F	文件：507.29 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WAs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor 文件：507.29 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR103F_05	文件：507.29 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor 文件：507.29 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR103L3	文件：507.29 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WA；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor 文件：507.29 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR103T	文件：507.29 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WAs；Package：SC75；NPN Silicon Digital Transistor 文件：507.29 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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晶体管资料

型号：
BCR108
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC123JK,KSR1113,RN1405,UN221M,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
200 mW
R1 / R2：
0.047
R1：
2.2 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
0.8 100µA / 5V
Vi (on)max：
0.8 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	BCR10PN	INFINEO	25+	SOT363	7899	原厂直接发货进口原装	询价
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深圳市一线半导体有限公司	BCR10PNE6393	INF	24+		216000		询价

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