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BCR10	文件：62.74 Kbytes Page：5 Pages	NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit) NPN/PNPSiliconDigitalTansistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorinonepackage •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=10kΩ)	SIEMENS Siemens Ltd
BCR10	文件：51.84 Kbytes Page：5 Pages	NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array NPN/PNPSiliconDigitalTransistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage •BuiltinbiasresistorNPNandPNP (R1=10kΩ,R2=10kΩ) •Pb-free(RoHScompliant)package •Qualified	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR101	文件：448.3 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=100kΩ,R2=100kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR101F	文件：448.3 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=100kΩ,R2=100kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR101L3	文件：448.3 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=100kΩ,R2=100kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR101T	文件：448.3 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=100kΩ,R2=100kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR103	文件：198.02 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR103F	文件：198.02 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR103L3	文件：198.02 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR103T	文件：198.02 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR103U	文件：198.02 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108	文件：35.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENS Siemens Ltd
BCR108	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR108S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108F	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR108S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108F	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108F	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108L3	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCR108L3	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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晶体管资料

型号：
BCR108
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC123JK,KSR1113,RN1405,UN221M,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
.1
wtest：
0

详细参数

型号：
BCR10
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array(Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	BCR10	INFINEON	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BCR10	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
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