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BCR108W	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-323；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：216.55 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108W	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-323；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR108S: For orientation in reel see packa 文件：211.61 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108W	文件：34.85 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) 文件：34.85 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR10CM	文件：94.07 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE • IT (RMS) ...................................................................... 10A • VDRM ..............................................................400V/600V • IFGT I, IRGT I, IRGT III ......................... 30mA (20mA) ✽5 APPLICATION Contactless AC switches, light drimmer, electric 文件：94.07 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
BCR10CM	文件：80.46 Kbytes Page：6 Pages	Triac 10 Amperes/400-600 Volts Description: A triac is a solid state silicon AC switch which may be gate triggered from an off-state to an on-state for either polarity of applied voltage. Features: □ Glass Passivation □ Excellent Surge Capability □ Selected for Inductive Loads Applications: □ AC Switch 文件：80.46 Kbytes 页数：6 Pages	POWEREX	POWEREX
BCR10CM-12	文件：80.46 Kbytes Page：6 Pages	Triac 10 Amperes/400-600 Volts Description: A triac is a solid state silicon AC switch which may be gate triggered from an off-state to an on-state for either polarity of applied voltage. Features: □ Glass Passivation □ Excellent Surge Capability □ Selected for Inductive Loads Applications: □ AC Switch 文件：80.46 Kbytes 页数：6 Pages	POWEREX	POWEREX
BCR10CM-12L	文件：80.46 Kbytes Page：6 Pages	Triac 10 Amperes/400-600 Volts Description: A triac is a solid state silicon AC switch which may be gate triggered from an off-state to an on-state for either polarity of applied voltage. Features: □ Glass Passivation □ Excellent Surge Capability □ Selected for Inductive Loads Applications: □ AC Switch 文件：80.46 Kbytes 页数：6 Pages	POWEREX	POWEREX
BCR10CM-12LA	文件：114.28 Kbytes Page：7 Pages	Triac Medium Power Use Features • IT (RMS) : 10 A • VDRM : 600 V • IFGTI, IRGTI, IRGT III : 30 mA (20 mA)Note6 • Non-Insulated Type • Planar Passivation Type Applications Contactless AC switch, light dimmer, electronic flasher unit, control of household equipment such as TV sets, stereo systems, refrigerator, w 文件：114.28 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
BCR10CM-12LA-A8	文件：114.28 Kbytes Page：7 Pages	Triac Medium Power Use Features • IT (RMS) : 10 A • VDRM : 600 V • IFGTI, IRGTI, IRGT III : 30 mA (20 mA)Note6 • Non-Insulated Type • Planar Passivation Type Applications Contactless AC switch, light dimmer, electronic flasher unit, control of household equipment such as TV sets, stereo systems, refrigerator, w 文件：114.28 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
BCR10CM-12LB	文件：126.19 Kbytes Page：8 Pages	Triac Medium Power Use (The product guaranteed maximum junction temperature of 150째C) Features • IT (RMS) : 10 A • VDRM : 600 V • IFGTI, IRGTI, IRGT III : 30 mA (20 mA)Note6 • Non-Insulated Type • Planar Passivation Type 文件：126.19 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
BCR108
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC123JK,KSR1113,RN1405,UN221M,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
200 mW
R1 / R2：
0.047
R1：
2.2 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
0.8 100µA / 5V
Vi (on)max：
0.8 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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天津市博通航睿技术有限公司	BCR10	INFINEON	23+		7000		询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	BCR10PN	INFINEO	25+	SOT363	7899	原厂直接发货进口原装	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	BCR108S,E6327	INFINEON	24+	原厂原封	6000	原装进口香港现货价优	询价
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深圳市凌旭科技有限公司	BCR108W	INFINEON	2016+	SOT-323	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	BCR10PNE6393	INF	24+		216000		询价

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