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BCP5416TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP54BCP56	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) ●For AF driver and output stages ●High collector current ●Low collector-emitter saturation voltage ●Complementary types: BCP 51 … BCP 53 (PNP) 文件：131.42 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP54E-6327	文件：827.56 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51...BCP53 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：827.56 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP54M	文件：31.75 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) •For AF driver and output stages •High collector current •Low collector-emitter saturation voltage •Complementary types: BCP 51M...BCP 53M(PNP) 文件：31.75 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP54MBCP56M	文件：31.75 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) •For AF driver and output stages •High collector current •Low collector-emitter saturation voltage •Complementary types: BCP 51M...BCP 53M(PNP) 文件：31.75 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP54-Q_SER	文件：239.12 Kbytes Page：12 Pages	45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT223 (SC-73) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according 文件：239.12 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54T	文件：273.44 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.44 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54T	文件：274.29 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BCP54T；Package：SC-73；45 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.29 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54T_SER	文件：274.29 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.29 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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晶体管资料

型号：
BCP54
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
45
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP54
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 45V 1.5A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP54供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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