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BCP54_SER	文件：249.19 Kbytes Page：12 Pages	45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT223 (SC-73) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：249.19 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54-10	文件：249.19 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP54/10；Package：SOT223；45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT223 (SC-73) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：249.19 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54-10	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) ●For AF driver and output stages ●High collector current ●Low collector-emitter saturation voltage ●Complementary types: BCP 51 … BCP 53 (PNP) 文件：131.42 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP54-10	文件：152.71 Kbytes Page：15 Pages	45 V, 1 A NPN medium power transistors General description NPN medium power transistor series. Features ■ High current ■ Two current gain selections ■ High power dissipation capability Applications ■ Linear voltage regulators ■ Low side switches ■ MOSFET drivers ■ Amplifiers 文件：152.71 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BCP54-10	文件：48.04 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：48.04 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP54-10-Q	文件：239.12 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP54/10；Package：SOT223；45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT223 (SC-73) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according 文件：239.12 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54-10T	文件：273.44 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.44 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54-10T	文件：274.29 Kbytes Page：14 Pages	丝印：P5410T；Package：SC-73；45 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.29 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP5410TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP54-16	文件：43.44 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BCP51, BCP52 and BCP53. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Switching. 文件：43.44 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

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晶体管资料

型号：
BCP54
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
45
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP54
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 45V 1.5A SOT223-4

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更多BCP54供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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