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BC879	文件：44.79 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistors DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a TO-92 (SOT54) plastic package. PNP complement: BC878. FEATURES • High DC current gain (min. 1000) • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. APPLICATIONS • Relay drivers. 文件：44.79 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC879	文件：173.96 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 876, BC 878 BC 880 (PNP) 文件：173.96 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC879	文件：60.75 Kbytes Page：7 Pages	NPN Darlington transistors 文件：60.75 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BD879	文件：211.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS NPN Silicon Planar Darlington Transistors BD875, BD877 and BD879 are epitaxial NPN silicon planar darlington transistors in TO 126 plastic package (12 A 3 DIN 41869, sheet 4). These darlington transistors are designed for relay drivers as well as for general AF applications. BD876 BD878 and BD880 文件：211.97 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BLF879P	文件：403.82 Kbytes Page：15 Pages	UHF power LDMOS transistor 文件：403.82 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI

晶体管资料

型号：
BC879
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSR52,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
100
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.8

详细参数

型号：
BC879
功能描述：
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON BULK DLT PIN
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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