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BCP53	文件：71.81 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER MEDIUMPOWERAMPLIFIER ■SILICONEPITAXIALPLANARPNP TRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFOR APPLICATIONINSURFACEMOUNTING CIRCUITS ■GENERALPURPOSEMAINLYINTENDED FORUSEINMEDIUMPOWERINDUSTRIAL APPLICATIONANDFORAUDIOAMPLIFIER OUTPUTSTAGE ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BCP53	文件：44.95 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplements:BCP54,BCP55andBCP56. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V) •Mediumpower(max.1.3W). APPLICATIONS •Audio,telephonyandautomotiveapplications •Thickandthin-filmcircuits	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BCP53	文件：42.57 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES SuitableforAFdriversandoutputstages HighcollectorcurrentandLowVCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors
BCP53	文件：140.02 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54…BCP56(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd
BCP53	文件：191.81 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposemediumpoweramplifiersandswitchingcircuitsforcollectorcurrentsto1.0A.Sourcedfromprocess79.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BCP53	文件：234.82 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation1.3W •PlasticcaseSOT-223 •Weightapprox.0.04g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BCP53	文件：215.73 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
BCP53	文件：39.06 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors ■Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●ComplementarytoBCP54,BCP55,BCP56	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BCP53	文件：116.75 Kbytes Page：7 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>-45V,-60V&-80V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP53	文件：143.96 Kbytes Page：15 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■High-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BCP53	文件：48.02 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCP53	文件：303.06 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=-80V ●Complementarytypes:BCP56(NPN)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
BCP53	文件：183.49 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
BCP53	文件：1.13588 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BCP53	文件：100.57 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT−223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. •HighCurrent •NPNComplementisBCP56 •TheSOT−223Packagecanbesolderedusingwaveorrefl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BCP53	文件：396.01 Kbytes Page：2 Pages	High Collector Current Features •Highcollectorcurrent •1.3Wpowerdissipation.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
BCP53	文件：194.51 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
BCP53	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■High-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BCP53	文件：211.69 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS GeneralPurposeMediumPowerDCApplications ComplementaryBCP54BCP55andBCP56	CDIL CDIL
BCP53	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■High-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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晶体管资料

型号：
BCP53
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
80
htest：
50000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP53
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 80V 1.2A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP53供应商更新时间2024-4-28 11:19:00

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