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BC859W	文件：987.34 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC859W	文件：330.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BF859	文件：67.15 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors IntegratedCircuits	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF859	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNtransistorsinaTO-202plasticpackage. AnA-versionwithe-b-cpinninginsteadofe-c-bisavailableonrequest. APPLICATIONS •Foruseinvideooutputstagesofblackandwhiteandcolourtelevisionreceivers.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF859	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BLV859	文件：126.05 Kbytes Page：16 Pages	UHFlinearpush-pullpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccaps.ItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV859	文件：18.79 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV859isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=10dBat150W/860MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BLV859	文件：95.38 Kbytes Page：3 Pages	UHFlinearpush-pullpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccapsItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •Doublei	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
CAT859	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT859	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst

详细参数

型号：
BC859CW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC859CW RF供应商更新时间2025-5-21 11:00:00

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