BC859中文资料BC859: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BC859 |
参数属性 | BC859 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | BC859: PNP Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 13:07:00 |
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BC859规格书详情
描述 Description
BC859
特性 Features
开关和放大器应用
适合在厚薄膜电路中自动插入
低噪声: BC859、BC860
BC846...BC850的补充器件
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BC859属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC859晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BC859
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = −10 mA
- IC Cont. (A)
:0.1
- VCEO Min (V)
:30
- VCBO (V)
:30
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:0.7
- VBE(on) (V)
:0.6
- hFE Min
:Condition: IC = -2mA
- hFE Max
:Condition: IC = -2mA
- fT Min (MHz)
:Condition: IC = -10mA
- PTM Max (W)
:0.31
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONS |
23+ |
125 |
询价 | ||||
PH |
15+ |
SOT-323 |
6698 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
SOT23 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT23-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT23-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT23-5 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ZTX |
05+ |
原厂原装 |
18051 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SMD |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
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