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BC859数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

厂商型号	BC859
参数属性	BC859 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
功能描述	BC859: PNP Epitaxial Silicon Transistor TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体安森美半导体公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-8 18:56:00
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BC859规格书详情

描述 Description

BC859

特性 Features

开关和放大器应用
适合在厚薄膜电路中自动插入
低噪声： BC859、BC860
BC846...BC850的补充器件

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

BC859属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BC859晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

制造商编号
：BC859
生产厂家
：ONSEMI
Compliance
：Pb-freeHalide free
Status
： Active
Description
： PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity
：PNP
Type
：General Purpose
VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = −10 mA
IC Cont. (A)
：0.1
VCEO Min (V)
：30
VCBO (V)
：30
VEBO (V)
：5
VBE(sat) (V)
：0.7
VBE(on) (V)
：0.6
hFE Min
：Condition: IC = -2mA
hFE Max
：Condition: IC = -2mA
fT Min (MHz)
：Condition: IC = -10mA
PTM Max (W)
：0.31
Package Type
：SOT-23-3

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