首页>BC859>规格书详情

BC859中文资料BC859: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

BC859

参数属性

BC859 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

功能描述

BC859: PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 13:07:00

人工找货

BC859价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BC859规格书详情

描述 Description

BC859

特性 Features

开关和放大器应用
适合在厚薄膜电路中自动插入
低噪声: BC859、BC860
BC846...BC850的补充器件

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

BC859属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC859晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC859

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : PNP Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = −10 mA

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.7

  • VBE(on) (V)

    :0.6

  • hFE Min

    :Condition: IC = -2mA

  • hFE Max

    :Condition: IC = -2mA

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = -10mA

  • PTM Max (W)

    :0.31

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONS
23+
125
询价
PH
15+
SOT-323
6698
询价
恩XP
23+
SOT23
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
Infineon/英飞凌
24+
SOT23-3
25000
原装正品,假一赔十!
询价
Infineon/英飞凌
24+
SOT23-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
NEXPERIA/安世
24+
SOT23-5
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
ZTX
05+
原厂原装
18051
只做全新原装真实现货供应
询价
PHI
24+
SMD
6980
原装现货,可开13%税票
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价