BC858C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BC858C |
| 参数属性 | BC858C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | General Purpose Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 21:04:00 |
| 人工找货 | BC858C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC858C规格书详情
描述 Description
NPN Silicon AF Transistors
特性 Features
·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 hz and 15 kHz
·Complementary types: BC847...-BC850... (NPN)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q1011)
应用 Application
·For AF input stages and driver applications
技术参数
- 制造商编号
：BC858C
- 生产厂家
：Infineon
- Polarity
：PNP (Single)
- VCEO max
：30.0V
- Ptot max
：330.0mW
- hFE min max
：420.0 800.0
- IC max
：100.0mA
- IC
：100.0mA
- VCBO max
：30.0V
- VEBO max
：5.0V
- ICM max
：200.0mA
- ICBO max
：15.0nA
- fT
：250.0MHz
- VCE(sat) max
：0.65V
- Mounting
：SMT
- IBM max
：200.0mA
- Package
：P-SOT23-3-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
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24+ |
NA/ |
69000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT23 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT-23 |
32000 |
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INFINEON |
24+ |
SOT23 |
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23+ |
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