首页>BC858BT116>规格书详情

BC858BT116中文资料PNP General purpose transistor数据手册ROHM规格书

PDF无图
厂商型号

BC858BT116

参数属性

BC858BT116 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SST3

功能描述

PNP General purpose transistor
TRANS PNP 30V 0.1A SST3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 20:00:00

人工找货

BC858BT116价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BC858BT116规格书详情

简介

BC858BT116属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC858BT116晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BC858BT116

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SST3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A SST3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
25+
SOT23
3000
原装正品,假一罚十!
询价
SAMSUNG/三星
24+
NA/
99000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ROHM/罗姆
24+
SOT23
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
PHI
23+
TRANS
12300
询价
SOT-323
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
ROHM/罗姆
22+
SOT-23
8000
原装正品支持实单
询价
AUK
24+
SOT-323
63200
新进库存/原装
询价
ROHM/罗姆
23+
NA
2860
原装正品代理渠道价格优势
询价
ROHM
25+
SMD
20000
专做罗姆,一系列可以订货排单,只做原装正品假一罚十
询价
ST
24+
TO-220
6512
公司现货库存,支持实单
询价