| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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DIODES/美台SOT-323 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌BGA |
3200 |
1309PB |
全新、原装 |
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1年
留言
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INFIENONSOT323 |
1452 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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INFIENONSOT323 |
1452 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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10年
留言
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YANGJIESOT-323 |
50000 |
24+ |
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购 |
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4年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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INFIENONSOT323 |
1452 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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3年
留言
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INFIENONSOT323 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保证 |
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8年
留言
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N/A |
70000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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6年
留言
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恩XPSOT323 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
3000 |
23+ |
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10年
留言
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PHISOT323 |
19349 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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5年
留言
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INFIENONSOT323 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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17年
留言
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PHILISPSOT-323 |
180000 |
24+ |
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8年
留言
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INFIENONSOT323 |
1452 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT323 |
1452 |
21+ |
原装现货,假一罚十 |
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13年
留言
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扬杰科技 |
250 |
21+ |
只做原装鄙视假货15118075546 |
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3年
留言
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MCC/美微科SOT-323 |
36000 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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BC858AW图片
BC858AWT1G价格
BC858AWT1G价格:¥0.1246品牌:ONS
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BC858AW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW-G功能描述:两极晶体管 - BJT -30, -.1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AWT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AWT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2


























